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2026-05-19 23:36:03 | 来源:泰州日报

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  图为“天美制片厂制作传媒 2007年,该团队在碳纳米管CMOS集成电路无掺杂制备方面取得了突破,2017年将碳基器件的尺寸缩减到5纳米水平,其器件性能接近理论极限,综合指标超越了硅基器件的十余倍。摄

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