复旦大学科研团队研发全球首颗二维-硅基混合架构闪存芯片 《美女jk白丝大腿》新型产站城开发要求我们转变城市运营逻辑过去的城市发展逻辑是通过高价的居住用地、高价的商业用地对冲掉低价的工业用地，形成了土地财政、基础设施建设和产业发展中的闭环。《美女jk白丝大腿》

　　中新网上海10月9日电 (记者 陈静)继“破晓(PoX)”皮秒闪存器件问世后，复旦大学在二维电子器件工程化道路上再获里程碑式突破。记者9日获悉，复旦大学集成芯片与系统全国重点实验室、集成电路与微纳电子创新学院周鹏-刘春森团队率先研发出全球首颗二维-硅基混合架构芯片。

　　这一突破攻克了新型二维信息器件工程化的关键难题；为推动信息技术迈入全新高速时代提供强力支撑。北京时间10月8日深夜，《自然》(Nature)期刊发表了上述研究成果。

　　周鹏-刘春森团队方面认为，这是中国集成电路领域的“源技术”，使中国在下一代存储核心技术领域掌握了主动权。展望二维-硅基混合架构闪存芯片的未来，该团队期待该技术颠覆传统存储器体系，让通用型存储器取代多级分层存储架构，为人工智能、大数据等前沿领域提供更高速、更低能耗的数据支撑，让二维闪存成为AI时代的标准存储方案。

　　据悉，大数据与人工智能时代对数据存取性能提出了极致要求，而传统存储器的速度与功耗已成为阻碍算力发展的关键难题之一。

　　存储器产业界代表认为，团队研发的二维-硅基混合架构芯片具有天然的访问速度优势，可突破闪存本身速度、功耗、集成度的平衡，未来或可在3D应用层面带来更大的市场机会；下一步期待通过产学研协同合作，为市场带来变革。

　　据悉，今年4月，周鹏-刘春森团队于《自然》(Nature)期刊提出“破晓”二维闪存原型器件，实现了400皮秒超高速非易失存储，是迄今最快的半导体电荷存储技术，为打破算力发展困境提供了底层原理。团队方面认为，如果要加快新技术孵化，就要将二维超快闪存器件充分融入互补金属氧化物半导体(CMOS)传统半导体产线。历经5年探索试错，研究团队在单个器件、集成工艺等多点协同攻关。如何将二维材料与互补金属氧化半导体(CMOS)集成又不破坏其性能，是团队需要攻克的核心难题。

　　CMOS电路表面有很多元件，如同一个微缩“城市”，有高楼也有平地；而二维半导体材料厚度仅有1个-3个原子，如“蝉翼”般纤薄而脆弱，如果直接将二维材料铺在CMOS电路上，材料很容易破裂。团队方面认为，研究人员没有必要去改变CMOS，而需要去适应它。团队决定从本身就具有一定柔性的二维材料入手，通过模块化的集成方案实现完整芯片集成。正是这项核心工艺的创新，实现了在原子尺度上让二维材料和CMOS衬底的紧密贴合，最终实现超过94%的芯片良率。

　　研究团队方面表示，下一步计划建立实验基地，与相关机构合作，建立自主主导的工程化项目，并计划用3年-5年时间将项目集成到兆量级水平，其间产生的知识产权和IP可授权给合作企业。(完) 【编辑:于晓艳】

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