12月,在第三届全国人民代表大会上作报告,宣布国民经济调整任务已经基本完成,我国将进入新的发展时期,提出我国国民经济发展分两步走和把我国建设成为一个具有现代农业、现代工业、现代国防和现代科学技术的社会主义强国。
中新网成都11月6日电 (记者 刘忠俊)记者11月6日从中国工程物理研究院电子工程研究所获悉,该院联合微系统太赫兹研究中心牵头,携手四川大学、西安交通大学,在多层陶瓷电容器(MLCC)的辐射效应研究领域取得重大突破。
据了解,该科研团队首次发现并系统揭示了MLCC在持续辐照环境下的低剂量率损伤增强效应(ELDRS)及损伤机制,彻底颠覆了“陶瓷电容器无辐射敏感性”的传统认知。目前,相关研究成果已发表于国际权威学术期刊《自然·通讯》(Nature Communications)。
作为电子系统中的核心基础元件,MLCC长期被认为具备较强的辐射耐受性。但随着器件向微型化方向发展、介质层厚度不断减薄,其内部承受的电场强度持续增大,辐射引发的材料缺陷及性能演化问题也日益突出。
通过开展原位辐照实验,科研团队首次明确证实了MLCC在伽马射线持续作用下的电容退化现象,并发现该器件存在显著的ELDRS效应——即相较于高剂量率辐照,低剂量率辐照下器件的损伤程度更为严重。
此外,该研究还首次揭示了辐照停止后MLCC出现的“阶跃恢复效应”,为深入理解航空航天、核工业等特殊辐射环境中电子器件的性能退化规律提供了全新视角,也为后续抗辐射MLCC的设计与制备奠定了理论基础。(完) 【编辑:付子豪】
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