央视网消息（新闻联播）：高清内射A级 2007年，该团队在碳纳米管CMOS集成电路无掺杂制备方面取得了突破，2017年将碳基器件的尺寸缩减到5纳米水平，其器件性能接近理论极限，综合指标超越了硅基器件的十余倍。。
【编辑:刘阳禾】
