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郑州中建深铁3号线:守护春运路爱心暖归途2007年,该团队在碳纳米管CMOS集成电路无掺杂制备方面取得了突破,2017年将碳基器件的尺寸缩减到5纳米水平,其器件性能接近理论极限,综合指标超越了硅基器件的十余倍。”盖斯说。(中国知识产权研究会秘书长陈燕)(责编:林露、李昉)分享让更多人看到推荐阅读
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