中方回应日本驻重庆总领事“空缺”:正按程序处理有关事宜

2026-01-22 16:00:51 | 来源:泰州日报

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  图为“嘿嘿连载官网网页入口 “2007年,我们团队取得了第一个重要突破——制备出国际首个性能超越硅基器件性能的CMOS器件——N型碳管晶体管。摄

  中新网北京1月22日电 (记者 曾玥)中国外交部发言人郭嘉昆22日主持例行记者会。

  有记者提问:日本驻重庆总领事上个月离任后,该职位已经“空缺”一个多月。有观点认为中方尚未同意日方派遣新任总领事,中方对此有何评论?

  郭嘉昆表示,中方正按程序处理有关事宜。(完)

【编辑:付子豪】

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