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　　中新社北京3月24日电 中国科学院微电子研究所24日发布讣告：中国科学院院士、中国杰出的微电子科学家吴德馨因病医治无效，于3月23日下午在北京逝世，享年90岁。

　　吴德馨1936年12月生于河北乐亭，1961年毕业于清华大学无线电电子工程系，成为清华大学第一批半导体专业毕业生。她毕业后到中国科学院半导体研究所工作，1986年调入中国科学院微电子研究所前身中国科学院微电子中心工作。1991年当选为中国科学院院士(学部委员)。

　　吴德馨是中国半导体与集成电路研究的开拓者之一，为国家微电子事业发展作出了卓越贡献。

　　在中国科学院半导体研究所工作期间，她作为课题负责人承担了新中国成立初期“12年科学规划”中的“平面型高速开关晶体管的研究”，独立自主解决了提高开关速度的关键问题，开关速度达到当时国际同类产品水平。该技术打破了西方国家对中国的封锁，为“两弹一星”配套的“109丙”计算机提供了核心器件。

　　在中国科学院微电子中心，吴德馨成功开发出双层多晶硅和差值氧化工艺，打破中国大规模集成电路成品率长期低下的局面，为中国集成电路工业生产奠定基础。她领导开发出0.8微米CMOS全套工艺，科研成果和产品开发等效益不断增加。

　　吴德馨先后荣获国家科技进步奖二等奖、中国科学院科技进步一等奖、何梁何利基金科学与技术进步奖等。(完) 【编辑:田博群】

　　日前，党中央、国务院印发《知识产权强国建设纲要（2021—2035年）》（以下简称《纲要》），国新办9月30日举行新闻发布会，邀请国家知识产权局、中宣部版权管理局、最高人民法院、科技部、国家市场监督管理总局有关负责人，介绍奋力开启知识产权强国建设新征程有关情况，并答记者问。