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不怕最坏结果?特朗普对沙特军售阻力陡增2007年,该团队在碳纳米管CMOS集成电路无掺杂制备方面取得了突破,2017年将碳基器件的尺寸缩减到5纳米水平,其器件性能接近理论极限,综合指标超越了硅基器件的十余倍。学校自己定随时关注查询学校的官网研究生学院学校自己定(中央电视台中央档案馆联合制作)
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