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重温《讲话》精神推动文艺繁荣发展2005年,Intel先进器件研究组发表的一篇文章指出,他们发现采用传统的半导体掺杂工艺无法制备出性能超越硅基CMOS的碳纳米管器件。“2007年,我们团队取得了第一个重要突破——制备出国际首个性能超越硅基器件性能的CMOS器件——N型碳管晶体管。流于浮躁、仅满足于视频上学,绝不可取。

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